G-31D4型高精密光刻機

產(chǎn)品介紹：

設備概述

本設備廣泛用于各大、中、小型企業(yè)、大專院校、科研單位，它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產(chǎn)。

主要構(gòu)成

本設備為板板對準雙面曝光

主要由雙目視場CCD顯微顯示系統(tǒng)、二臺4"LED專用曝光頭、PLC電控系統(tǒng)、高精度對準工作臺、Z軸升降機構(gòu)、真空管路系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、直聯(lián)式真空泵、二級防震工作臺等組成。

曝光頭部件圖

CCD顯微系統(tǒng)|X、Y、Q對準工作臺

主要功能特點

1.適用范圍廣
適用于φ100mm以下、厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光，雙面可同時曝光，亦可用于單面曝光。

2.結(jié)構(gòu)**
Z軸采用滾珠直進式導軌和可實現(xiàn)硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構(gòu)，真空吸版，防粘片機構(gòu)。

3.操作簡便
X\Y移動、Q轉(zhuǎn)、Z軸升降采用手動方式；
吸版、反吹采用按鈕方式，操作、調(diào)試、維護、修理都非常簡便。

 4. 可靠性高
采用進口（日本產(chǎn)）電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)和

精密的機械零件，使本機運行具有非常高的可靠性。
5. 特設功能
除標準承片臺外，還可以為用戶定制專用承片臺，來解決非圓形基片、碎片和底面

不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題

主要技術(shù)指標

1、曝光類型：版版對準雙面曝光

2、曝光面積：110×110mm；

3、曝光照度不均勻性：≤±3%；

4、曝光強度：0～30mw/cm2可調(diào)；

5、紫外光束角：≤3°；

6、紫外光中心波長：365nm；

7、紫外光源壽命：≥2萬小時；

8、工作面溫度：≤30℃

9、采用電子快門；

10、曝光分辨率：1μm(曝光深度為線寬的10倍左右)

11、曝光模式：雙面同時曝光

12、對準范圍：X:±5mm Y:±5mm

13、套刻精度：1μm

14、旋轉(zhuǎn)范圍：Q向旋轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)≤±5°

15、顯微系統(tǒng)：雙視場CCD系統(tǒng)，物鏡1.6X～10X，計算機圖像處理系統(tǒng)，19″液晶監(jiān)視器；

16、掩模版尺寸：能真空吸附4"方形掩板，對版的厚度無特殊要求（1～3mm皆可）。

17、基片尺寸：適用于Φ3"mm圓形基片（或3"×3"mm方形基片），基片厚度≤5mm。